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二極管,你真的了解她麽?

發布時間:2019-07-29 責任編輯:wenwei

【導讀】二極管種類有很多,按照所用的半導體材料,可分爲鍺二極管(Ge管)和矽二極管(Si管)。根據其不同用途,可分爲檢波二極管、整流二極管、穩壓二極管、開關二極管等。按照管芯結構,又可分爲點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。
 
二極管,你真的了解她麽?
 
點接觸型二極管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面,通以脈沖電流,使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起,形成一個“PN結”。由于是點接觸,只允許通過較小的電流(不超過幾十毫安),適用于高頻小電流電路,如收音機的檢波等。面接觸型二極管的“PN結”面積較大,允許通過較大的電流(幾安到幾十安),主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的矽二極管,它不僅能通過較大的電流,而且性能穩定可靠,多用于開關、脈沖及高頻電路中。
 
晶體二極管的分類
 
一、根據構造分類
  
半導體二極管主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型,也被列入一般的二極管的範圍內。包括這兩種型號在內,根據PN結構造面的特點,把晶體二極管分類如下:
 
點接觸型二極管
  
點接觸型二極管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,點接觸型二極管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。
 
鍵型二極管
  
鍵型二極管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之间。与点接触型相比较,虽然鍵型二極管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA)。在鍵型二極管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
 
合金型二極管
  
在N型鍺或矽的單晶片上,通過合金铟、鋁等金屬的方法制作PN結而形成的。正向電壓降小,適于大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大,所以不適于高頻檢波和高頻整流。
 
擴散型二極管
  
在高溫的P型雜質氣體中,加熱N型鍺或矽的單晶片,使單晶片表面的一部變成P型,以此法PN結。因PN結正向電壓降小,適用于大電流整流。最近,使用大電流整流器的主流已由矽合金型轉移到矽擴散型。
 
台面型二極管
 
PN結的制作方法雖然與擴散型相同,但是,只保留PN結及其必要的部分,把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出台面形,因而得名。初期生産的台面型,是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此,又把這種台面型稱爲擴散台面型。對于這一類型來說,似乎大電流整流用的産品型號很少,而小電流開關用的産品型號卻很多。
 
平面型二極管
  
在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二極管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。
 
合金擴散型二極管
  
它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質,就能與合金一起過擴散,以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用于制造高靈敏度的變容二極管。
 
外延型二極管
  
用外延面長的過程制造PN結而形成的二極管。制造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布,故適宜于制造高靈敏度的變容二極管。
 
肖特基二極管
  
基本原理是:在金屬(例如鉛)和半導體(N型矽片)的接觸面上,用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是:開關速度非常快:反向恢複時間trr特別地短。因此,能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。
 
二、根據用途分類
 
檢波用二極管
  
就原理而言,從輸入信號中取出調制信號是檢波,以整流電流的大小(100mA)作爲界線通常把輸出電流小于100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz,正向壓降小,結電容小,檢波效率高,頻率特性好,爲2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極管,除用于檢波外,還能夠用于限幅、削波、調制、混頻、開關等電路。也有爲調頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極管組合件。
 
整流用二極管
  
就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小(100mA)作爲界線通常把輸出電流大于100mA的叫整流。面結型,工作頻率小于KHz,最高反向電壓從25伏至3000伏分A~X共22檔。分類如下:①矽半導體整流二極管2CZ型、②矽橋式整流器QL型、③用于電視機高壓矽堆工作頻率近100KHz的2CLG型。
 
限幅用二極管
  
大多數二極管能作爲限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管。爲了使這些二極管具有特別強的限制尖銳振幅的作用,通常使用矽材料制造的二極管。也有這樣的組件出售:依據限制電壓需要,把若幹個必要的整流二極管串聯起來形成一個整體。
 
調制用二極管
  
通常指的是環形調制專用的二極管。就是正向特性一致性好的四個二極管的組合件。即使其它變容二極管也有調制用途,但它們通常是直接作爲調頻用。
 
混頻用二極管
  
使用二极管混频方式时,在500~10,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和點接觸型二極管。
 
放大用二極管
  
用二极管放大,大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大,以及用變容二極管的参量放大。因此,放大用二極管通常是指隧道二极管、体效应二极管和變容二極管。
 
開關用二極管
  
有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二極管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用;2CK型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高。
 
變容二極管
 
用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称變容二極管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压, 使其PN结的静电容量发生变化。因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常,虽然是采用硅的擴散型二極管,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大。
結電容隨反向電壓VR變化,取代可變電容,用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環路,常用于電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路,多以矽材料制作。
 
頻率倍增用二極管
  
对二极管的频率倍增作用而言,有依靠變容二極管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。频率倍增用的變容二極管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的變容二極管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到關閉时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成關閉的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。
 
穩壓二極管
  
是代替穩壓電子二極管的産品。被制作成爲矽的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作爲控制電壓和標准電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓(又稱齊納電壓)從3V左右到150V,按每隔10%,能劃分成許多等級。在功率方面,也有從200mW至100W以上的産品。工作在反向擊穿狀態,矽材料制作,動態電阻RZ很小,一般爲2CW型;將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數則爲2DW型。
 
PIN型二极管(PIN Diode)
  
這是在P區和N區之間夾一層本征半導體(或低濃度雜質的半導體)構造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時,由于少數載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應,其二極管失去整流作用而變成阻抗元件,並且,其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時,“本征”區的阻抗很高;在直流正向偏置時,由于載流子注入“本征”區,而使“本征”區呈現出低阻抗狀態。因此,可以把PIN二極管作爲可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關(即微波開關)、移相、調制、限幅等電路中。
 
雪崩二极管(Avalanche Diode)
  
它是在外加電壓作用下可以産生高頻振蕩的晶體管。産生高頻振蕩的工作原理是栾的:利用雪崩擊穿對晶體注入載流子,因載流子渡越晶片需要一定的時間,所以其電流滯後于電壓,出現延遲時間,若適當地控制渡越時間,那麽,在電流和電壓關系上就會出現負阻效應,從而産生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。
 
江崎二极管 (Tunnel Diode)
  
它是以隧道效應電流爲主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化镓和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的(即高濃度雜質的)。隧道電流由這些簡並態半導體的量子力學效應所産生。發生隧道效應具備如下三個條件:①費米能級位于導帶和滿帶內;②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡並半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管爲雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比(IP/PV),其中,下標“P”代表“峰”;而下標“V”代表“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中(其工作頻率可達毫米波段),也可以被應用于高速開關電路中。
 
快速关断(阶跃恢复)二极管(Step Recovary Diode)
  
它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是:在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區,從而形成“自助電場”。由于PN結在正向偏壓下,以少數載流子導電,並在PN結附近具有電荷存貯效應,使其反向電流需要經曆一個“存貯時間”後才能降至最小值(反向飽和電流值)。階躍恢複二極管的“自助電場”縮短了存貯時間,使反向電流快速截止,並産生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷(階躍恢複)二極管用于脈沖和高次諧波電路中。
 
肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode)
  
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二極管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二極管可以用来制作太阳能电池或發光二極管。
 
阻尼二極管
  
具有較高的反向工作電壓和峰值電流,正向壓降小,高頻高壓整流二極管,用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。
 
瞬變電壓抑制二極管
 
TVP管,對電路進行快速過壓保護,分雙極型和單極型兩種,按峰值功率(500W-5000W)和電壓(8.2V~200V)分類。
 
雙基極二極管(單結晶體管)
  
兩個基極,一個發射極的三端負阻器件,用于張馳振蕩電路,定時電壓讀出電路中,它具有頻率易調、溫度穩定性好等優點。
 
發光二極管
  
用磷化镓、磷砷化镓材料制成,體積小,正向驅動發光。工作電壓低,工作電流小,發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。
 
三、根據特性分類
 
點接觸型二極管,按正向和反向特性分类如下。
 
一般用點接觸型二極管
 
這種二極管正如標題所說的那樣,通常被使用于檢波和整流電路中,是正向和反向特性既不特別好,也不特別壞的中間産品。如:SD34、SD46、1N34A等等屬于這一類。
 
高反向耐压點接觸型二極管
  
是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的産品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中,有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管,其耐壓受到限制。要求更高時有矽合金和擴散型。
 
高反向电阻點接觸型二極管
  
正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高,但反向電流小,因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中,就鍺材料高反向電阻型二極管而言,SD54、1N54A等等屬于這類二極管。
 
高传导點接觸型二極管
  
它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差,但使正向电阻变得足够小。对高传导點接觸型二極管而言,有SD56、1N56A等等。对高传导鍵型二極管而言,能够得到更优良的特性。这类二极管,在负荷电阻特别低的情况下,整流效率较高。
 
二極管選型注意事項:
 
二極管參數需降額使用,參考《降額規範》,請關注《硬件十萬個爲什麽》發送“規範”。
 
發光二極管:
 
1) 發光二極管优选直径为5mm的插脚型号.贴片發光二極管优选选用有焊接框架的型号,ESD/MSL等级遵循上述的标准。
 
2) 發光二極管优选有边、短脚的;为了保持公司产品的一致性,红发红、绿发绿等型号优选,白发红、白发绿等型号慎选;如果没有特殊要求,尽量不要使用长脚、无边的。
 
3) 發光二極管优选品牌为“亿光”。
 
快恢複二極管:
 
1)低电压(耐压值200V以下)下,高时间特性时选肖特基二極管;
 
2)肖特基管熱阻和電流都較大,優選分立式封裝。通常3A以下可以選擇SOD-123或D-64封裝;3~8A可以選擇D2-PAK封裝;8A以上DO-201、TO-220、TO-3P。
 
3)在高電壓時選擇PIN結構快恢複二極管。
 
整流二極管:
 
1)主要考慮最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢複時間等參數;
 
2)開關電源整流、脈沖整流用整流二極管,宜選工作頻率較高、反向恢複時間較短、或選快恢複二極管。
 
3)低电压、大电流时整流,选肖特基二極管。
 
4)同電流等級優先選擇反壓最高的型號.如1A以下選用1N4007(M7),3A的選用IN5408。
 
肖特基二極管:
 
同电流档次的保留反压最高的等级,如:1N5819保留,1N5817禁选, SS14保留,SS12禁选;B340A保留。
 
穩壓二極管:
 
1)穩定電壓值應與應用電路的基准電壓值相同;
 
2)最大穩定電流高于應用電路的最大負載電流50%左右;
 
3)穩壓管在選型時務必注意器件功率的降額處理。實際功率應小于0.5×P。
 
4)功率在0.5W以下的型號選擇貼片式封裝,0.5W及以上選擇直插式封裝
 
瞬態抑制二極管:
 
1)Vrmax(最大反向工作電壓)≥正常工作電壓。
 
2)Vcmax(最大鉗位電壓)≤最大允許安全電壓。常規CMOS電路電源電壓爲3~18V,擊穿電壓爲22V,則應選Vcmax爲18~22V的TVS管。
 
3)Pp(瞬態脈沖功率的最大值)=最大峰值脈沖電流Ipmax與Vcmax。Pp大于被保護器件或線路的最大瞬態
 
4)浪湧功率。
 
5)品牌:優選NXP和ON。
 
二極管的檢測(以肖特基爲例)
 
肖特基(Schottky)二極管也稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),它是一種低功耗、超高速半導體器件,廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用,或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。
 
1.性能比較
  
下表列出了肖特基二極管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见,硅高速开关二极管的trr虽极低,但平均整流电流很小,不能作大电流整流用。
 
二極管,你真的了解她麽?
 
2.檢測方法
  
下面通过一个实例来介绍检测肖特基二極管的方法。检测内容包括:①识别电极;②检查管子的单向导电性;③测正向导压降VF;④测量反向击穿电压VBR。
 
二極管,你真的了解她麽?
 
被测管为B82-004型肖 特基管,共有三个管脚,将管脚按照正面(字面朝向人)从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的R×1档进行测量,全部数据整理成下表:
 
測試結論:
 
第一,根據①—②、③—④間均可測出正向電阻,判定被測管爲共陰對管,①、③腳爲兩個陽極,②腳爲公共陰極。
 
第二,因①—②、③—②之間的正向電阻只幾歐姆,而反向電阻爲無窮大,故具有單向導電性。
 
第三,内部两只肖特基二極管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V,均低于手册中给定的最大允许值VFM(0.55V)。
 
另外使用ZC 25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出,内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册,B82-004的最高反向工作电压(即反向峰值电压)VBR=40V。表明留有较高的安全系数.
 
二極管的參數解釋
 
常規參數:正向壓降、反向擊穿電壓、連續電流、反向漏電等;
 
交流參數:開關速度、存貯時間、截止頻率、阻抗、結電容等;
 
極限參數:最大耗散功率、工作溫度、存貯條件、最大整流電流等。
 
我們知道二極管具有容易從P型向N型半導體通過電流,而在相反方向不易通過的的特性。這兩種特性合起來就産生了電容器的作用,即蓄積電荷的作用。蓄積有電荷,當然要放電。放電可以在任何方向進行。而二極管只在一個方向有電流流過這種說法,嚴格來說是不成立的。這種情況在高頻時就明顯表現出來。因此,二極管的極電容以小爲好。
 
最大額定值
  
最大反向峰值电压VRM 即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压,它的最大值是规定的重要因子。
 
最大直流反向电压VR 上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路,最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
 
最大浪湧電流Isurge
  
允許流過的過量的正向電流。它不是正常電流,而是瞬間電流,這個值相當大。
 
最大平均整流電流IO
  
在半波整流電路中,流過負載電阻的平均整流電流的最大值。這是設計時非常重要的值。
 
最大交流輸入電壓VI
  
在半波整流电路(电阻负荷)上加的正弦交流电压的有效值。这也是选择整流器时非常重要的参数。最大峰值正向电流IFM 正向流过的最大电流值,这也是设计整流电路时的重要参数。
 
最大功率P
  
二极管中有电流流过,就会吸热,而使自身温度升高。最大功率P为功率的最大值。具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对穩壓二極管,可变电阻二极管显得特别重要。
 
反向電流IR
  
一般說來,二極管中沒有反向電流流過,實際上,加一定的反向電壓,總會有電流流過,這就是反向電流。不用說,好的二極管,反向電流較小。
 
反向恢複時間tre
 
指在規定的負載、正向電流及最大反向瞬態電壓下的反向恢複時間。從正向電壓變成反向電壓時,理想情況是電流能瞬時截止,實際上,一般要延遲一點點時間。決定電流截止延時的量,就是反向恢複時間。雖然它直接影響二極管的開關速度,但不一定說這個值小就好。
 
IF— 最大平均整流电流。 
 
指二極管期工作時允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值,並要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF爲1A。 
 
VR— 最大反向工作电压。 
 
指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值,則反向電流(IR)劇增,二極管的單向導電性被破壞,從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作爲(VR)。例如1N4001的VR爲50V,1N4007的VR爲1OOOV. 
 
IR— 反向电流。 
 
指二極管未擊穿時反向電流值。溫度對IR的影響很大。例如1N4000系列二極管在100°C條件IR應小于500uA;在25°C時IR應小于5uA。 
   
VR— 击穿电压。 
 
指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向爲軟特性時,則指給定反向漏電流條件下的電壓值。 
 
fm— 最高工作频率。 
 
主要由PN結的結電容及擴散電容決定,若工作頻率超過fm,則二極管的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000系列二極管的fm爲3kHz。 
  
CO— 零偏压电容。 
 
指二极管两端电压为零时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA,而在 100°C时IR则变为小于500uA。
 
穩壓二極管的主要参数 
 
Vz— 稳定电压。 
 
指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别,同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如,2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。 
 
Iz— 稳定电流。 
 
指穩壓管産生穩定電壓時通過該管的電流值。低于此值時,穩壓管雖並非不能穩壓,但穩壓效果會變差;高于此值時,只要不超過額定功率損耗,也是允許的,而且穩壓性能會好一些,但要多消耗電能。 
 
Rz— 动态电阻。 
 
指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变,一般是工作电流愈大,动态电阻则愈小。例如,2CW7C稳压管的工作电流为 5mA时,Rz为18Ω;工作电流为1OmA时,Rz为8Ω;为20mA时,Rz为2Ω ; > 20mA则基本维持此数值。 
 
Pz— 额定功耗。 
 
由芯片允許溫升決定,其數值爲穩定電壓Vz和允許最大電流Izm的乘積。例如2CW51穩壓管的Vz爲3V,Izm爲20mA,則該管的Pz爲60mWo 
 
Ctv— 电压温度系数。 
 
是說明穩定電壓值受溫度影響的參數。例如2CW58穩壓管的Ctv是+0.07%/°C,即溫度每升高1°C,其穩壓值將升高0.07%。 
 
IR— 反向漏电流。 
 
指穩壓二極管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时,IR=O.1uA;在VR=6V时,IR=10uA。
 
其他參數
 
CT---勢壘電容
Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度系數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测穩壓二極管正向电参数时给定的电流 
IF(AV)---正向平均電流
IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。發光二極管极限电流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 發光二極管起辉电流
IFRM---正向重複峰值電流
IFSM---正向不重複峰值電流(浪湧電流)
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流 
IL---光電流或穩流二極管極限電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR(AV)---反向平均電流
IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;穩壓二極管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重複平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重複電流
IRRM---反向重複峰值電流
IRSM---反向不重複峰值電流(反向浪湧電流)
Irp---反向恢複電流
Iz---穩定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數時,給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---最大正向(整流)電流。在規定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流
IZSM---穩壓二極管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下穩壓二極管允许通过的电流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢複電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極管穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數;電容比
Q---優值(品質因素)
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT(AV)---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PM---額定功率。矽二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈沖功率
PMS---最大承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪湧功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重複浪湧功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,穩壓二極管允许承受的最大功率
RF(r)---正向微分電阻。在正向導通時,電流隨電壓指數的增加,呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應增加△I,則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
Rz(ru)---動態電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬態電阻
Ta---環境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢複時間
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢複時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極管的貯成溫度
a---溫度系數
λp---發光峰值波長
△ λ---光谱半宽度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
VF---正向壓降(正向直流電壓)
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重複峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF(AV)---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)
V(BR)---擊穿電壓
Vth---閥電壓(門限電壓)
VRRM---反向重複峰值電壓(反向浪湧電壓)
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷点电压
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓範圍電壓增量
Vs---通向電壓(信號電壓)或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度系數
Vk---膝點電壓(穩流二極管)
VL ---极限电压
 
 
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